UH10JT-E3/4W-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置， 额定正向电流（IF）为10A， 最大反向重复电压（VR）为650V， 正向压降（VF）典型值为1.5V， 在导通状态下具有较低的功耗。 其反向漏电流（IR）为60μA， 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达90A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）， 适用于高频、高效率的电源转换场合， 尤其在对热管理与空间布局有较高要求的电力电子系统中表现突出。