UGE8JT-E3/45-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
UGE8JT-E3/45-HXY
该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为8A, 最大反向重复峰值电压达650V, 正向导通压降典型值为1.38V, 具备优异的导通特性。 其非重复浪涌正向电流能力高达88A, 可有效应对瞬态过载条件。 器件基于碳化硅材料, 具有低开关损耗与高热稳定性, 在高频、高效率电源转换场景中表现突出, 适用于对能效和可靠性要求较高的电力电子系统。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
25
货期
现货
UGE8JT-E3/45-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 25 |
UGE8JT-E3/45-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为8A, 最大反向重复峰值电压达650V, 正向导通压降典型值为1.38V, 具备优异的导通特性。 其非重复浪涌正向电流能力高达88A, 可有效应对瞬态过载条件。 器件基于碳化硅材料, 具有低开关损耗与高热稳定性, 在高频、高效率电源转换场景中表现突出, 适用于对能效和可靠性要求较高的电力电子系统。
UGE8JT-E3/45-HXY特性
暂无产品特性。
UGE8JT-E3/45-HXY应用领域
暂无应用领域。
