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UGE8JT-E3/45-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

UGE8JT-E3/45-HXY

该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为8A, 最大反向重复峰值电压达650V, 正向导通压降典型值为1.38V, 具备优异的导通特性。 其非重复浪涌正向电流能力高达88A, 可有效应对瞬态过载条件。 器件基于碳化硅材料, 具有低开关损耗与高热稳定性, 在高频、高效率电源转换场景中表现突出, 适用于对能效和可靠性要求较高的电力电子系统。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

25

货期

现货

UGE8JT-E3/45-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存25

UGE8JT-E3/45-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为8A, 最大反向重复峰值电压达650V, 正向导通压降典型值为1.38V, 具备优异的导通特性。 其非重复浪涌正向电流能力高达88A, 可有效应对瞬态过载条件。 器件基于碳化硅材料, 具有低开关损耗与高热稳定性, 在高频、高效率电源转换场景中表现突出, 适用于对能效和可靠性要求较高的电力电子系统。

UGE8JT-E3/45-HXY特性

暂无产品特性。

UGE8JT-E3/45-HXY应用领域

暂无应用领域。

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