UG8JTHE3/45-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
UG8JTHE3/45-HXY
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)为600V。 其正向压降(VF)为1.5V, 反向漏电流(IR)低至10μA, 体现出良好的导通性能与关断特性。 器件的非重复浪涌正向电流(IFSM)可达100A, 适用于高频整流、开关电源及逆变类电路, 在对恢复速度和能效有较高要求的电子设备中可提供稳定可靠的运行表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
13
货期
现货
UG8JTHE3/45-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 快恢复/高效率二极管 |
|---|---|
| 库存 | 13 |
UG8JTHE3/45-HXY概述
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)为600V。 其正向压降(VF)为1.5V, 反向漏电流(IR)低至10μA, 体现出良好的导通性能与关断特性。 器件的非重复浪涌正向电流(IFSM)可达100A, 适用于高频整流、开关电源及逆变类电路, 在对恢复速度和能效有较高要求的电子设备中可提供稳定可靠的运行表现。
UG8JTHE3/45-HXY特性
暂无产品特性。
UG8JTHE3/45-HXY应用领域
暂无应用领域。
