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UG8JT-E3/45-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

UG8JT-E3/45-HXY

该快恢复/高效率二极管为独立式结构, 具有8A的正向电流(IF)和600V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为1.5V, 反向漏电流(IR)仅为10μA, 表现出良好的导通效率与低功耗特性。 器件可承受高达100A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于高频开关电源、逆变器及各类整流电路, 在需要快速恢复特性和高可靠性的电子系统中表现稳定。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

23

货期

现货

UG8JT-E3/45-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类快恢复/高效率二极管
库存23

UG8JT-E3/45-HXY概述

该快恢复/高效率二极管为独立式结构, 具有8A的正向电流(IF)和600V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为1.5V, 反向漏电流(IR)仅为10μA, 表现出良好的导通效率与低功耗特性。 器件可承受高达100A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于高频开关电源、逆变器及各类整流电路, 在需要快速恢复特性和高可靠性的电子系统中表现稳定。

UG8JT-E3/45-HXY特性

暂无产品特性。

UG8JT-E3/45-HXY应用领域

暂无应用领域。

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