UG8JT-E3/45-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
UG8JT-E3/45-HXY
该快恢复/高效率二极管为独立式结构, 具有8A的正向电流(IF)和600V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为1.5V, 反向漏电流(IR)仅为10μA, 表现出良好的导通效率与低功耗特性。 器件可承受高达100A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于高频开关电源、逆变器及各类整流电路, 在需要快速恢复特性和高可靠性的电子系统中表现稳定。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
23
货期
现货
UG8JT-E3/45-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 快恢复/高效率二极管 |
|---|---|
| 库存 | 23 |
UG8JT-E3/45-HXY概述
该快恢复/高效率二极管为独立式结构, 具有8A的正向电流(IF)和600V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为1.5V, 反向漏电流(IR)仅为10μA, 表现出良好的导通效率与低功耗特性。 器件可承受高达100A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于高频开关电源、逆变器及各类整流电路, 在需要快速恢复特性和高可靠性的电子系统中表现稳定。
UG8JT-E3/45-HXY特性
暂无产品特性。
UG8JT-E3/45-HXY应用领域
暂无应用领域。
