UFT800J-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
UFT800J-HXY
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)为600V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 反向漏电流(IR)低至10μA, 在浪涌条件下可承受高达100A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 器件具备较短的反向恢复时间与较低的开关损耗, 适用于对能效和动态响应要求较高的开关电源及高频整流应用。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
23
货期
现货
UFT800J-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 快恢复/高效率二极管 |
|---|---|
| 库存 | 23 |
UFT800J-HXY概述
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)为600V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 反向漏电流(IR)低至10μA, 在浪涌条件下可承受高达100A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 器件具备较短的反向恢复时间与较低的开关损耗, 适用于对能效和动态响应要求较高的开关电源及高频整流应用。
UFT800J-HXY特性
暂无产品特性。
UFT800J-HXY应用领域
暂无应用领域。
