UF4C120070K4S
IC
TO-247-4
可供量大可议
UF4C120070K4S
它基于独特的“共源共栅”电路配置， 其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装， 以生产常关 SiC FET 器件。 该器件的标准栅极驱动特性允许真正“直接替换” Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超结器件。 采用 TO-247-4L 封装， 该器件具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性， 非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。
品牌
onsemi
封装
TO-247-4
库存
3
货期
现货
UF4C120070K4S参数
| 封装 | TO-247-4 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅结型场效应管(JFET) |
|---|---|
| 库存 | 3 |
UF4C120070K4S概述
它基于独特的“共源共栅”电路配置， 其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装， 以生产常关 SiC FET 器件。 该器件的标准栅极驱动特性允许真正“直接替换” Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超结器件。 采用 TO-247-4L 封装， 该器件具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性， 非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。
UF4C120070K4S特性
暂无产品特性。
UF4C120070K4S应用领域
暂无应用领域。