UF3SC065030B7S-HXY
IC
TO-263-7L
可供量大可议
UF3SC065030B7S-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET具备73A的连续漏极电流能力， 漏源击穿电压为650V， 导通电阻低至26mΩ， 栅源电压工作范围为-10V至+25V。 得益于碳化硅材料的特性， 器件在高频开关应用中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性， 适用于高效率电源、可再生能源转换系统以及对功率密度和能效有较高要求的电力电子设备。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-263-7L
库存
10
货期
现货
UF3SC065030B7S-HXY参数
| 封装 | TO-263-7L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
UF3SC065030B7S-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET具备73A的连续漏极电流能力， 漏源击穿电压为650V， 导通电阻低至26mΩ， 栅源电压工作范围为-10V至+25V。 得益于碳化硅材料的特性， 器件在高频开关应用中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性， 适用于高效率电源、可再生能源转换系统以及对功率密度和能效有较高要求的电力电子设备。
UF3SC065030B7S-HXY特性
暂无产品特性。
UF3SC065030B7S-HXY应用领域
暂无应用领域。