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UE026NDG-U
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IC

TO-251

UE026NDG-U

N管/60V/30A/26MΩ(典型21MΩ)

品牌

DOINGTER

封装

TO-251

交期

现货

批次

—

UE026NDG-U参数

封装TO-251
品牌DOINGTER(杜因特)
MOQ / SPQ1 / 5
漏源电压(Vdss)60V
耗散功率(Pd)35W
栅极电荷量(Qg)22nC@10V
反向传输电容(Crss)50pF
类型N沟道
栅极电压(Vgs)±20V
商品型号UE026NDG-U
单位个
商品重量0.0006175
分类场效应管(MOSFET)
库存400
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))21mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))1.5V
输入电容(Ciss)1.03nF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)60pF
商品名称UE026NDG-U
包装方式管装
商品类型场效应管(MOSFET)

UE026NDG-U概述

N管/60V/30A/26MΩ(典型21MΩ)

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