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UD3013-VB
IC

TO-252

可供量大可议

UD3013-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单P沟道场效应晶体管, 采用Trench工艺, 适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域, 包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。 TO252; P—Channel沟道, -30V; -40A; RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=-1~-2.5V

品牌

VBsemi

封装

TO-252

库存

45

货期

现货

UD3013-VB参数

封装TO-252
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存45

UD3013-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单P沟道场效应晶体管, 采用Trench工艺, 适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域, 包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。 TO252; P—Channel沟道, -30V; -40A; RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=-1~-2.5V

UD3013-VB特性

暂无产品特性。

UD3013-VB应用领域

暂无应用领域。

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