UCC57108BDR
IC
SOIC-8
可供量大可议
UCC57108BDR
Low-side 3A/3A driver with desaturation protection (DESAT) and 8V undervoltage lockout
品牌
TI
封装
SOIC-8
库存
999
货期
现货
UCC57108BDR参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| 批次 | 25+ |
| 驱动配置 | 低边 |
| 驱动通道数 | 1 |
| 拉电流(IOH) | 3A |
| 上升时间(tr) | 18ns |
| 传播延迟 tpLH | 26ns |
| 特性 | 欠压保护(UVP)； 短路保护(SCP)； 过热保护(OTP) |
| 输入高电平(VIH) | 1.8V~2.6V |
| 静态电流(Iq) | 1.1mA |
| 分类 | 栅极驱动芯片 |
|---|---|
| 库存 | 999 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 负载类型 | MOSFET； IGBT |
| 灌电流(IOL) | 3A |
| 工作电压 | 8.5V~26V |
| 下降时间(tf) | 32ns |
| 传播延迟 tpHL | 50ns |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
| 输入低电平(VIL) | 800mV~1.6V |
| 功能特性 | 使能关断； 过流保护 |
UCC57108BDR概述
Low-side 3A/3A driver with desaturation protection (DESAT) and 8V undervoltage lockout
UCC57108BDR特性
暂无产品特性。
UCC57108BDR应用领域
暂无应用领域。