UCC5350SBQDRQ1

UCC5350-Q1是一款单通道隔离式栅极驱动器， 源极和漏极最小峰值电流均为5 A， 旨在驱动MOSFET、IGBT和SiC MOSFET。 UCC5350-Q1可选择米勒钳位或分离输出功能。 CLAMP引脚用于将晶体管栅极连接到输出端之外的内部FET， 以防止米勒电流导致的误开启。 分离输出选项允许通过OUTH和OUTL引脚分别控制栅极电压的上升和下降时间。 UCC5350-Q1采用4 mm SOIC-8 (D)或8.5 mm宽体SOIC-8 (DWV)封装， 分别可支持高达3 kVRMS和5 kVRMS的隔离电压。 输入侧与输出侧采用SiO₂电容隔离技术进行隔离， 隔离屏障寿命超过40年。 UCC5350-Q1非常适合在高压牵引逆变器和车载充电器等应用中驱动IGBT或MOSFET。 与光耦合器相比， UCC5350-Q1器件的器件间偏斜更小、传播延迟更短、工作温度更高且共模瞬态抗扰度(CMTI)更高。