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UCC5310MCDR
IC

SOIC-8

可供量大可议

UCC5310MCDR

具有米勒钳位、12V UVLO 且采用 D 或 DWV 封装的 3kVrms/5kVrms、2A/1A 单通道隔离式栅极驱动器 8-SOIC -40 to 125

品牌

TI

封装

SOIC-8

库存

184

货期

现货

UCC5310MCDR参数

封装SOIC-8
品牌TI(德州仪器)
MOQ / SPQ1 / 1
负载类型IGBT; MOSFET
输入侧工作电压3V~15V
灌电流(IOL)1.1A
上升时间(tr)28ns
传播延迟 tpLH75ns
静态电流(Iq)2.4mA
驱动侧工作电压13.2V~33V
分类隔离式栅极驱动器
库存184
隔离电压(Vrms)3000V
通道数1
拉电流(IOH)2.4A
工作温度-40℃~+125℃@(Ta)
下降时间(tf)26ns
传播延迟 tpHL75ns
CMTI(kV/us)100kV/us
功能特性米勒钳位保护

UCC5310MCDR概述

隔离式栅极驱动器 UCC5310MCDR SOIC-8

UCC5310MCDR特性

暂无产品特性。

UCC5310MCDR应用领域

暂无应用领域。

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