UCC28C55QDRQ1

高性能电流模式PWM控制器， 可用于驱动各种应用中的Si和SiC MOSFET。 除持续支持Si MOSFET的现有UVLO阈值外， 还具有可确保SiC MOSFET可靠运行的新UVLO阈值。 VDD绝对最大额定电压从20V增加至30V， 便于以理想方式驱动20Vgs、18Vgs或15Vgs SiC MOSFET的栅极， 同时可无需使用外部LDO。 器件性能也有所改进， 如52kHz时的电源电流从2.3mA降至1.3mA， 启动电流上限值从100μA降至75μA， 基准电压精度从±2%提升至±1%等。