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UCC28C53QDRQ1
IC

SOIC-8

可供量大可议

UCC28C53QDRQ1

UCC28C5x-Q1系列器件是高性能电流模式PWM控制器, 可用于在各种应用中驱动Si和SiC MOSFET。 UCC28C5x-Q1系列是UCC28C4xQ1的更高效、更稳健版本。 UCC28C5x-Q1系列具有新的欠压锁定(UVLO)阈值, 可实现可靠的SiC MOSFET操作(UCC28C56 - 59 - Q1), 此外还保留了现有的UVLO阈值以继续支持Si MOSFET(UCC28C50 - 55 - Q1)。 VDD绝对最大电压额定值从20V扩展到30V, 以优化驱动20 - Vgs、18 - Vgs或15 - Vgs的SiC MOSFET栅极, 同时还可省去外部低压差线性稳压器(LDO)。

品牌

TI

封装

SOIC-8

库存

932

货期

现货

UCC28C53QDRQ1参数

封装SOIC-8
品牌TI(德州仪器)
MOQ / SPQ1 / 1
分类DC-DC电源芯片
库存932

UCC28C53QDRQ1概述

UCC28C5x-Q1系列器件是高性能电流模式PWM控制器, 可用于在各种应用中驱动Si和SiC MOSFET。 UCC28C5x-Q1系列是UCC28C4xQ1的更高效、更稳健版本。 UCC28C5x-Q1系列具有新的欠压锁定(UVLO)阈值, 可实现可靠的SiC MOSFET操作(UCC28C56 - 59 - Q1), 此外还保留了现有的UVLO阈值以继续支持Si MOSFET(UCC28C50 - 55 - Q1)。 VDD绝对最大电压额定值从20V扩展到30V, 以优化驱动20 - Vgs、18 - Vgs或15 - Vgs的SiC MOSFET栅极, 同时还可省去外部低压差线性稳压器(LDO)。

UCC28C53QDRQ1特性

暂无产品特性。

UCC28C53QDRQ1应用领域

暂无应用领域。

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