UCC28C52QDRQ1
IC
SOIC-8
可供量大可议
UCC28C52QDRQ1
UCC28C5x-Q1系列器件是高性能电流模式PWM控制器, 可用于在各种应用中驱动Si和SiC MOSFET。 UCC28C5x-Q1系列是UCC28C4xQ1的更高效、更稳健版本。 UCC28C5x-Q1系列具有新的欠压锁定(UVLO)阈值, 可实现可靠的SiC MOSFET操作(UCC28C56 - 59 - Q1), 此外还保留了现有的UVLO阈值以继续支持Si MOSFET(UCC28C50 - 55 - Q1)。 VDD绝对最大电压额定值从20V扩展到30V, 以优化驱动20 - Vgs、18 - Vgs或15 - Vgs的SiC MOSFET栅极, 同时还可省去外部低压差线性稳压器(LDO)。
品牌
TI
封装
SOIC-8
库存
3
货期
现货
UCC28C52QDRQ1参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | AC-DC控制器和稳压器 |
|---|---|
| 库存 | 3 |
UCC28C52QDRQ1概述
UCC28C5x-Q1系列器件是高性能电流模式PWM控制器, 可用于在各种应用中驱动Si和SiC MOSFET。 UCC28C5x-Q1系列是UCC28C4xQ1的更高效、更稳健版本。 UCC28C5x-Q1系列具有新的欠压锁定(UVLO)阈值, 可实现可靠的SiC MOSFET操作(UCC28C56 - 59 - Q1), 此外还保留了现有的UVLO阈值以继续支持Si MOSFET(UCC28C50 - 55 - Q1)。 VDD绝对最大电压额定值从20V扩展到30V, 以优化驱动20 - Vgs、18 - Vgs或15 - Vgs的SiC MOSFET栅极, 同时还可省去外部低压差线性稳压器(LDO)。
UCC28C52QDRQ1特性
暂无产品特性。
UCC28C52QDRQ1应用领域
暂无应用领域。
