UCC27712DR
自营可供
IC
SOIC-8
UCC27712DR
栅极驱动芯片 UCC27712DR
品牌
TI
封装
SOIC-8
交期
现货
批次
22+
UCC27712DR参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| 批次 | 22+ |
| 驱动配置 | 半桥 |
| 驱动通道数 | 2 |
| 拉电流(IOH) | 1.8A |
| 上升时间(tr) | 16ns |
| 传播延迟 tpLH | 160ns |
| 特性 | 欠压保护(UVP) |
| 输入高电平(VIH) | 1.6V~2.4V |
| 静态电流(Iq) | 255uA |
| 分类 | 栅极驱动芯片 |
|---|---|
| 库存 | 278 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 负载类型 | IGBT； MOSFET |
| 灌电流(IOL) | 2.8A |
| 工作电压 | 10V~20V |
| 下降时间(tf) | 10ns |
| 传播延迟 tpHL | 160ns |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 输入低电平(VIL) | 800mV~1.5V |
| 功能特性 | 交错导通保护； 死区时间控制 |
UCC27712DR概述
栅极驱动芯片 UCC27712DR