UCC27211AQDDARQ1
IC
SO-8
可供量大可议
UCC27211AQDDARQ1
栅极驱动芯片 UCC27211AQDDARQ1
品牌
TI
封装
SO-8
库存
1
货期
现货
UCC27211AQDDARQ1参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| 批次 | 25+ |
| 驱动配置 | 半桥 |
| 驱动通道数 | 2 |
| 拉电流(IOH) | 4A |
| 上升时间(tr) | 7.2ns |
| 传播延迟 tpLH | 20ns |
| 特性 | 欠压保护(UVP) |
| 输入高电平(VIH) | 1.7V~2.55V |
| 静态电流(Iq) | 170uA |
| 分类 | 栅极驱动芯片 |
|---|---|
| 库存 | 1 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 负载类型 | MOSFET |
| 灌电流(IOL) | 4A |
| 工作电压 | 8V~17V |
| 下降时间(tf) | 5.5ns |
| 传播延迟 tpHL | 16ns |
| 工作温度 | -40℃~+140℃ |
| 输入低电平(VIL) | 1.2V~1.9V |
| 功能特性 | 内置自举二极管 |
UCC27211AQDDARQ1概述
栅极驱动芯片 UCC27211AQDDARQ1
UCC27211AQDDARQ1特性
暂无产品特性。
UCC27211AQDDARQ1应用领域
暂无应用领域。