UCC23514VDWVR
IC
SOIC-8-300mil
可供量大可议
UCC23514VDWVR
适用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道隔离栅极驱动器， 具有4.5A源电流和5.3A灌电流峰值输出电流， 5.0kV<sub>RMS</sub>加强绝缘等级。 33V的高电源电压范围允许使用双极电源来有效驱动IGBT和SiC功率FET。 可驱动低端和高端功率FET。 与标准光耦合器基栅极驱动器相比， 关键特性显著提升了性能和可靠性， 同时在原理图和布局设计中保持引脚对引脚兼容性。 性能亮点包括高共模瞬态抗扰度（CMTI）、低传播延迟和小脉冲宽度失真。 严格的工艺控制导致小的器件间偏差
品牌
TI
封装
SOIC-8-300mil
库存
10
货期
现货
UCC23514VDWVR参数
| 封装 | SOIC-8-300mil |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 隔离式栅极驱动器 |
|---|---|
| 库存 | 10 |
UCC23514VDWVR概述
适用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道隔离栅极驱动器， 具有4.5A源电流和5.3A灌电流峰值输出电流， 5.0kV<sub>RMS</sub>加强绝缘等级。 33V的高电源电压范围允许使用双极电源来有效驱动IGBT和SiC功率FET。 可驱动低端和高端功率FET。 与标准光耦合器基栅极驱动器相比， 关键特性显著提升了性能和可靠性， 同时在原理图和布局设计中保持引脚对引脚兼容性。 性能亮点包括高共模瞬态抗扰度（CMTI）、低传播延迟和小脉冲宽度失真。 严格的工艺控制导致小的器件间偏差
UCC23514VDWVR特性
暂无产品特性。
UCC23514VDWVR应用领域
暂无应用领域。