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UCC23511QDWYRQ1
IC

SOIC-6-300mil

可供量大可议

UCC23511QDWYRQ1

UCC23511-Q1 是一款适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容单通道隔离式栅极驱动器, 具有 1.5A 峰值拉电流和 2A 峰值灌电流以及 5.7kVRMS 增强型隔离额定值。 33V 的高电源电压范围允许使用双极电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率 FET。 UCC23511-Q1 可以驱动低侧和高侧功率 FET。 与基于光耦合器的标准栅极驱动器相比, 此器件的主要特性和特征可显著提高性能和可靠性, 同时在原理图和布局设计中保持引脚对引脚兼容性。 性能亮点包括高共模瞬态抗扰度 (CMTI)、低传播延迟和小脉宽失真。 严格的过程控制可实现较小的器件对器件偏移。 输入级是仿真二极管 (ediode), 这意味着与光耦合器栅极驱动器中传统的 LED 相比, 可靠性和老化特性更为出色。 该器件采用扩展型 SO6 封装, 爬电距离和间隙大于 8.5mm, 塑封材料(材料组 I)的相对漏电起痕指数 (CTI) 大于 600V。 UCC23511-Q1 具有高性能和高可靠性, 因此非常适合用于汽车电机驱动器, 例如牵引逆变器、车载充电器、直流充电站以及汽车暖通空调和加热系统。 更高的工作温度为传统光耦合器以前无法支持的应用开辟了机会。

品牌

TI

封装

SOIC-6-300mil

库存

5

货期

现货

UCC23511QDWYRQ1参数

封装SOIC-6-300mil
品牌TI(德州仪器)
MOQ / SPQ1 / 1
分类隔离式栅极驱动器
库存5

UCC23511QDWYRQ1概述

UCC23511-Q1 是一款适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容单通道隔离式栅极驱动器, 具有 1.5A 峰值拉电流和 2A 峰值灌电流以及 5.7kVRMS 增强型隔离额定值。 33V 的高电源电压范围允许使用双极电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率 FET。 UCC23511-Q1 可以驱动低侧和高侧功率 FET。 与基于光耦合器的标准栅极驱动器相比, 此器件的主要特性和特征可显著提高性能和可靠性, 同时在原理图和布局设计中保持引脚对引脚兼容性。 性能亮点包括高共模瞬态抗扰度 (CMTI)、低传播延迟和小脉宽失真。 严格的过程控制可实现较小的器件对器件偏移。 输入级是仿真二极管 (ediode), 这意味着与光耦合器栅极驱动器中传统的 LED 相比, 可靠性和老化特性更为出色。 该器件采用扩展型 SO6 封装, 爬电距离和间隙大于 8.5mm, 塑封材料(材料组 I)的相对漏电起痕指数 (CTI) 大于 600V。 UCC23511-Q1 具有高性能和高可靠性, 因此非常适合用于汽车电机驱动器, 例如牵引逆变器、车载充电器、直流充电站以及汽车暖通空调和加热系统。 更高的工作温度为传统光耦合器以前无法支持的应用开辟了机会。

UCC23511QDWYRQ1特性

暂无产品特性。

UCC23511QDWYRQ1应用领域

暂无应用领域。

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