SOIC-6-300mil
UCC23511QDWYRQ1
UCC23511-Q1 是一款适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容单通道隔离式栅极驱动器, 具有 1.5A 峰值拉电流和 2A 峰值灌电流以及 5.7kVRMS 增强型隔离额定值。 33V 的高电源电压范围允许使用双极电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率 FET。 UCC23511-Q1 可以驱动低侧和高侧功率 FET。 与基于光耦合器的标准栅极驱动器相比, 此器件的主要特性和特征可显著提高性能和可靠性, 同时在原理图和布局设计中保持引脚对引脚兼容性。 性能亮点包括高共模瞬态抗扰度 (CMTI)、低传播延迟和小脉宽失真。 严格的过程控制可实现较小的器件对器件偏移。 输入级是仿真二极管 (ediode), 这意味着与光耦合器栅极驱动器中传统的 LED 相比, 可靠性和老化特性更为出色。 该器件采用扩展型 SO6 封装, 爬电距离和间隙大于 8.5mm, 塑封材料(材料组 I)的相对漏电起痕指数 (CTI) 大于 600V。 UCC23511-Q1 具有高性能和高可靠性, 因此非常适合用于汽车电机驱动器, 例如牵引逆变器、车载充电器、直流充电站以及汽车暖通空调和加热系统。 更高的工作温度为传统光耦合器以前无法支持的应用开辟了机会。
品牌
TI
封装
SOIC-6-300mil
库存
5
货期
现货
UCC23511QDWYRQ1参数
| 封装 | SOIC-6-300mil |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 隔离式栅极驱动器 |
|---|---|
| 库存 | 5 |
UCC23511QDWYRQ1概述
UCC23511-Q1 是一款适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容单通道隔离式栅极驱动器, 具有 1.5A 峰值拉电流和 2A 峰值灌电流以及 5.7kVRMS 增强型隔离额定值。 33V 的高电源电压范围允许使用双极电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率 FET。 UCC23511-Q1 可以驱动低侧和高侧功率 FET。 与基于光耦合器的标准栅极驱动器相比, 此器件的主要特性和特征可显著提高性能和可靠性, 同时在原理图和布局设计中保持引脚对引脚兼容性。 性能亮点包括高共模瞬态抗扰度 (CMTI)、低传播延迟和小脉宽失真。 严格的过程控制可实现较小的器件对器件偏移。 输入级是仿真二极管 (ediode), 这意味着与光耦合器栅极驱动器中传统的 LED 相比, 可靠性和老化特性更为出色。 该器件采用扩展型 SO6 封装, 爬电距离和间隙大于 8.5mm, 塑封材料(材料组 I)的相对漏电起痕指数 (CTI) 大于 600V。 UCC23511-Q1 具有高性能和高可靠性, 因此非常适合用于汽车电机驱动器, 例如牵引逆变器、车载充电器、直流充电站以及汽车暖通空调和加热系统。 更高的工作温度为传统光耦合器以前无法支持的应用开辟了机会。
UCC23511QDWYRQ1特性
暂无产品特性。
UCC23511QDWYRQ1应用领域
暂无应用领域。
