UCC21759QDWRQ1
IC
SOIC-16-300mil
可供量大可议
UCC21759QDWRQ1
一款电隔离单通道栅极驱动器， 旨在于SiCMOSFET和IGBT， 工作电压高达900V（直流）， 具有先进的保护特性、出色的动态性能和稳健性。 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。 输入侧通过SiO₂电容隔离技术与输出侧相隔离， 支持高达 636Vᵣₘₛ 的工作电压、超过40年的隔离栅寿命、6kVₚₖ 的浪涌抗扰度， 并提供较低的器件间偏斜和>150V/ns 的共模噪声抗扰度(CMTI)。 包含先进的保护特性， 如快速短路检测、故障报告、有源米勒钳位以及针对SiC和IGBT功率晶体管优化的输入和输出侧电源UVLO
品牌
TI
封装
SOIC-16-300mil
库存
3
货期
现货
UCC21759QDWRQ1参数
| 封装 | SOIC-16-300mil |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 隔离式栅极驱动器 |
|---|---|
| 库存 | 3 |
UCC21759QDWRQ1概述
一款电隔离单通道栅极驱动器， 旨在于SiCMOSFET和IGBT， 工作电压高达900V（直流）， 具有先进的保护特性、出色的动态性能和稳健性。 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。 输入侧通过SiO₂电容隔离技术与输出侧相隔离， 支持高达 636Vᵣₘₛ 的工作电压、超过40年的隔离栅寿命、6kVₚₖ 的浪涌抗扰度， 并提供较低的器件间偏斜和>150V/ns 的共模噪声抗扰度(CMTI)。 包含先进的保护特性， 如快速短路检测、故障报告、有源米勒钳位以及针对SiC和IGBT功率晶体管优化的输入和输出侧电源UVLO
UCC21759QDWRQ1特性
暂无产品特性。
UCC21759QDWRQ1应用领域
暂无应用领域。