UCC21756QDWRQ1
IC
SOIC-16
可供量大可议
UCC21756QDWRQ1
是一款电流隔离式单通道栅极驱动器， 专为最高 2121V 直流工作电压的碳化硅 MOSFET 和 IGBT 设计， 具有先进的保护功能、一流的动态性能和耐用性。 具有高达 ±10A 的峰值源电流和灌电流。 输入侧与输出侧采用二氧化硅电容隔离技术， 支持最高 1.5kV RMS 工作电压、12.8kV 峰值浪涌抗扰度， 隔离屏障寿命超过 40 年， 同时提供低的器件间偏差和大于 150V/ns 的共模噪声抗扰度 (CMTI)。 具备先进的保护功能， 如快速过流和短路检测、故障报告、有源米勒钳位以及输入和输出侧电源欠压锁定， 以优化碳化硅和 IGBT 的开关性能和耐用性
品牌
TI
封装
SOIC-16
库存
22
货期
现货
UCC21756QDWRQ1参数
| 封装 | SOIC-16 |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 隔离式栅极驱动器 |
|---|---|
| 库存 | 22 |
UCC21756QDWRQ1概述
是一款电流隔离式单通道栅极驱动器， 专为最高 2121V 直流工作电压的碳化硅 MOSFET 和 IGBT 设计， 具有先进的保护功能、一流的动态性能和耐用性。 具有高达 ±10A 的峰值源电流和灌电流。 输入侧与输出侧采用二氧化硅电容隔离技术， 支持最高 1.5kV RMS 工作电压、12.8kV 峰值浪涌抗扰度， 隔离屏障寿命超过 40 年， 同时提供低的器件间偏差和大于 150V/ns 的共模噪声抗扰度 (CMTI)。 具备先进的保护功能， 如快速过流和短路检测、故障报告、有源米勒钳位以及输入和输出侧电源欠压锁定， 以优化碳化硅和 IGBT 的开关性能和耐用性
UCC21756QDWRQ1特性
暂无产品特性。
UCC21756QDWRQ1应用领域
暂无应用领域。