UCC21755QDWRQ1

UCC21755-Q1是一款电流隔离型单通道栅极驱动器， 专为最高2121V直流工作电压的碳化硅（SiC）MOSFET和IGBT而设计， 具备先进的保护特性、同类最佳的动态性能和高可靠性。 UCC21755-Q1的峰值源电流和灌电流最高可达±10A。 输入侧与输出侧采用二氧化硅（SiO₂）电容隔离技术进行隔离， 支持最高1.5kVRMS的工作电压、12.8kVPK的浪涌抗扰度， 隔离栅寿命超过40年， 同时具有低的器件间偏差和大于150V/ns的共模噪声抗扰度（CMTI）。 UCC21755-Q1具备先进的保护特性， 如快速过流和短路检测、支持分流电流检测、故障报告、有源米勒钳位以及输入和输出侧电源欠压锁定（UVLO）， 可优化SiC和IGBT的开关性能和可靠性。 隔离式模拟转PWM传感器可用于更便捷的温度或电压检测， 进一步提高驱动器的通用性， 简化系统设计工作、减小尺寸并降低成本。