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UCC21750QDWRQ1
IC

SOIC-16-300mil

可供量大可议

UCC21750QDWRQ1

10A SIC/IGBT SINGLE-CHANNEL

品牌

TI

封装

SOIC-16-300mil

库存

188

货期

现货

UCC21750QDWRQ1参数

封装SOIC-16-300mil
品牌TI(德州仪器)
批次两年内
驱动配置高边; 低边
负载类型IGBT; MOSFET
输入侧工作电压3V~5.5V
灌电流(IOL)10A
上升时间(tr)33ns
传播延迟 tpLH130ns
输入高电平(VIH)2.1V~5.5V
静态电流(Iq)3mA
驱动侧工作电压13V~33V
分类隔离式栅极驱动器
库存188
MOQ / SPQ1 / 1
隔离电压(Vrms)5700V
通道数1
拉电流(IOH)10A
工作温度-40℃~+125℃
下降时间(tf)27ns
传播延迟 tpHL130ns
输入低电平(VIL)0V~1.65V
CMTI(kV/us)150kV/us
功能特性米勒钳位保护; 饱和故障检测

UCC21750QDWRQ1概述

10A SIC/IGBT SINGLE-CHANNEL

UCC21750QDWRQ1特性

暂无产品特性。

UCC21750QDWRQ1应用领域

暂无应用领域。

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