UCC21738QDWRQ1
IC
SOIC-16
可供量大可议
UCC21738QDWRQ1
是一款电隔离单通道栅极驱动器， 设计用于直流工作电压高达2121V的SiCMOSFET和IGBT， 具有先进的保护功能、出色的动态性能和稳健性。 该器件具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。 输入侧通过 SiO₂ 电容隔离技术与输出侧相隔离， 支持高达 1.5kV_RMS 的工作电压、12.8kV_PK 的浪涌抗扰度， 隔离层寿命超过40年， 并提供较低的器件间偏移， 共模瞬态抗扰度(CMTI)大于150V/ns。 包括先进的保护特性， 如快速过流和短路检测、分流电流检测支持、故障报告、有源米勒钳位、输入和输出侧电源UVLO（用于优化SiC和IGBT开关行为）和稳健性
品牌
TI
封装
SOIC-16
库存
20
货期
现货
UCC21738QDWRQ1参数
| 封装 | SOIC-16 |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 隔离式栅极驱动器 |
|---|---|
| 库存 | 20 |
UCC21738QDWRQ1概述
是一款电隔离单通道栅极驱动器， 设计用于直流工作电压高达2121V的SiCMOSFET和IGBT， 具有先进的保护功能、出色的动态性能和稳健性。 该器件具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。 输入侧通过 SiO₂ 电容隔离技术与输出侧相隔离， 支持高达 1.5kV_RMS 的工作电压、12.8kV_PK 的浪涌抗扰度， 隔离层寿命超过40年， 并提供较低的器件间偏移， 共模瞬态抗扰度(CMTI)大于150V/ns。 包括先进的保护特性， 如快速过流和短路检测、分流电流检测支持、故障报告、有源米勒钳位、输入和输出侧电源UVLO（用于优化SiC和IGBT开关行为）和稳健性
UCC21738QDWRQ1特性
暂无产品特性。
UCC21738QDWRQ1应用领域
暂无应用领域。