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UCC21710DWR
IC

SOIC-16-300mil

可供量大可议

UCC21710DWR

UCC21710是一款单通道电气隔离式栅极驱动器, 旨在驱动耐压高达1700V的碳化硅(SiC)MOSFET和IGBT。 它具备先进的集成保护功能、一流的动态性能和高可靠性。 UCC21710的源极和灌极峰值电流最高可达±10A。 输入侧与输出侧采用二氧化硅(SiO₂)电容隔离技术进行隔离, 支持最高1.5kV RMS的工作电压, 隔离栅寿命超过40年, 具备12.8kVₚₖ的浪涌抗扰度, 同时具有低的器件间偏差和大于150V/ns的共模噪声抗扰度(CMTI)。 UCC21710具备先进的保护特性, 如快速过流和短路检测、支持分流电流检测、故障报告、有源密勒钳位, 以及输入和输出侧电源欠压锁定(UVLO)功能, 可优化SiC和IGBT的开关性能和可靠性。 隔离式模拟转PWM传感器可用于更便捷的温度或电压检测, 进一步提升驱动器的通用性, 简化系统设计、减小尺寸并降低成本。

品牌

TI

封装

SOIC-16-300mil

库存

22

货期

现货

UCC21710DWR参数

封装SOIC-16-300mil
品牌TI(德州仪器)
MOQ / SPQ1 / 1
分类隔离式栅极驱动器
库存22

UCC21710DWR概述

UCC21710是一款单通道电气隔离式栅极驱动器, 旨在驱动耐压高达1700V的碳化硅(SiC)MOSFET和IGBT。 它具备先进的集成保护功能、一流的动态性能和高可靠性。 UCC21710的源极和灌极峰值电流最高可达±10A。 输入侧与输出侧采用二氧化硅(SiO₂)电容隔离技术进行隔离, 支持最高1.5kV RMS的工作电压, 隔离栅寿命超过40年, 具备12.8kVₚₖ的浪涌抗扰度, 同时具有低的器件间偏差和大于150V/ns的共模噪声抗扰度(CMTI)。 UCC21710具备先进的保护特性, 如快速过流和短路检测、支持分流电流检测、故障报告、有源密勒钳位, 以及输入和输出侧电源欠压锁定(UVLO)功能, 可优化SiC和IGBT的开关性能和可靠性。 隔离式模拟转PWM传感器可用于更便捷的温度或电压检测, 进一步提升驱动器的通用性, 简化系统设计、减小尺寸并降低成本。

UCC21710DWR特性

暂无产品特性。

UCC21710DWR应用领域

暂无应用领域。

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