UCC21551DDWKR
IC
SOIC-14
可供量大可议
UCC21551DDWKR
是一款具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器。 它设计有4A峰值源电流和6A峰值灌电流, 用于驱动功率MOSFET、SiC和IGBT晶体管。 可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。 输入侧通过5kV RMS隔离屏障与两个输出驱动器隔离, 共模瞬态抗扰度(CMTI)最低为125V/ns。 保护功能包括:电阻可编程死区时间、可同时关闭两个输出的禁用功能, 以及集成的去毛刺滤波器, 可抑制短于5ns的输入瞬变。 所有电源都有欠压锁定(UVLO)保护。 凭借所有这些先进特性, 该器件可在各种电源应用中实现高效率、高功率密度和高可靠性。
品牌
TI
封装
SOIC-14
库存
109
货期
现货
UCC21551DDWKR参数
| 封装 | SOIC-14 |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 隔离式栅极驱动器 |
|---|---|
| 库存 | 109 |
UCC21551DDWKR概述
是一款具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器。 它设计有4A峰值源电流和6A峰值灌电流, 用于驱动功率MOSFET、SiC和IGBT晶体管。 可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。 输入侧通过5kV RMS隔离屏障与两个输出驱动器隔离, 共模瞬态抗扰度(CMTI)最低为125V/ns。 保护功能包括:电阻可编程死区时间、可同时关闭两个输出的禁用功能, 以及集成的去毛刺滤波器, 可抑制短于5ns的输入瞬变。 所有电源都有欠压锁定(UVLO)保护。 凭借所有这些先进特性, 该器件可在各种电源应用中实现高效率、高功率密度和高可靠性。
UCC21551DDWKR特性
暂无产品特性。
UCC21551DDWKR应用领域
暂无应用领域。
