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UCC21550ADWR
IC

SOIC(DW)| 16

可供量大可议

UCC21550ADWR

4A/6A, 5-kVRMS dual-channel isolated gate driver with DIS and DT pins for IGBT

品牌

TI

封装

SOIC(DW)| 16

库存

1,635

货期

现货

UCC21550ADWR参数

封装SOIC(DW)| 16
品牌TI(德州仪器)
批次两年内
驱动配置半桥
负载类型MOSFET、IGBT、SiC、GaN
输入侧工作电压3V~5.5V
灌电流(IOL)6A
上升时间(tr)8ns
传播延迟 tpLH45ns
输入高电平(VIH)2V~2.3V
静态电流(Iq)2mA
驱动侧工作电压6.5V~25V
分类隔离式栅极驱动器
库存1,635
MOQ / SPQ1 / 1
隔离电压(Vrms)5000V
通道数2
拉电流(IOH)4A
工作温度-40℃~+150℃@(Tj)
下降时间(tf)8ns
传播延迟 tpHL45ns
输入低电平(VIL)0.8V~1V
CMTI(kV/us)125kV/us
功能特性死区时间控制

UCC21550ADWR概述

4A/6A, 5-kVRMS dual-channel isolated gate driver with DIS and DT pins for IGBT

UCC21550ADWR特性

暂无产品特性。

UCC21550ADWR应用领域

暂无应用领域。

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