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UCC21530DWKR
IC

SOIC-14P-300mil

可供量大可议

UCC21530DWKR

UCC21530 是一款隔离式双通道栅极驱动器, 具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。 该驱动器可用于驱动高达 5MHz 的 IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET, 具有出色的传播延迟和脉宽失真度。 输入侧通过 5.7kV_RMS 增强型隔离层与两个输出驱动器隔离, 其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 至少为 100V/ns。 两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离支持高达 1850V 的工作电压。 该器件可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。 EN 引脚拉至低电平时会同时关闭两个输出, 悬空或拉高时可使器件恢复正常运行。 作为一种失效防护机制, 初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。 此器件接受高达 25V 的 VDD 电源电压。 3V 到 18V 的宽输入电压 VCCI 范围使得该驱动器适用于连接数字和模拟控制器。 所有电源电压引脚都具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能。

品牌

TI

封装

SOIC-14P-300mil

库存

43

货期

现货

UCC21530DWKR参数

封装SOIC-14P-300mil
品牌TI(德州仪器)
MOQ / SPQ1 / 1
分类隔离式栅极驱动器
库存43

UCC21530DWKR概述

UCC21530 是一款隔离式双通道栅极驱动器, 具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。 该驱动器可用于驱动高达 5MHz 的 IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET, 具有出色的传播延迟和脉宽失真度。 输入侧通过 5.7kV_RMS 增强型隔离层与两个输出驱动器隔离, 其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 至少为 100V/ns。 两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离支持高达 1850V 的工作电压。 该器件可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。 EN 引脚拉至低电平时会同时关闭两个输出, 悬空或拉高时可使器件恢复正常运行。 作为一种失效防护机制, 初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。 此器件接受高达 25V 的 VDD 电源电压。 3V 到 18V 的宽输入电压 VCCI 范围使得该驱动器适用于连接数字和模拟控制器。 所有电源电压引脚都具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能。

UCC21530DWKR特性

暂无产品特性。

UCC21530DWKR应用领域

暂无应用领域。

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