UCC21330CQDRQ1

是一款具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器。 设计有4A峰值源电流和6A峰值灌电流， 用于驱动功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶体管。 可配置为两个低端驱动器、两个高端驱动器或一个半桥驱动器。 输入侧通过3kV有效值隔离屏障与两个输出驱动器隔离， 最小共模瞬态抗扰度（CMTI）为125V/ns。 保护功能包括：电阻可编程死区时间、可同时关闭两个输出的禁用功能， 以及可抑制短于5ns的输入瞬变的集成去毛刺滤波器。 所有电源均具有欠压锁定（UVLO）保护。 凭借这些先进特性， 该器件可在各种电源应用中实现高效率、高功率密度和高可靠性。