UCC21330BQDRQ1
IC
SOIC-16
可供量大可议
UCC21330BQDRQ1
通用型:双低侧、双高侧或半桥驱动器, 符合 AEC - Q100 标准, 测试结果如下: - 器件温度等级 1 - 结温范围:-40 至 +150°C - 最高 4A 峰值源电流和 6A 峰值灌电流输出 - 共模瞬态抗扰度(CMTI)大于 125V/ns - 最高 25V 的 VDD 输出驱动电源 - 提供 5V、8V、12V 的 VDD 欠压锁定(UVLO)选项 - 开关参数: - 典型传播延迟 33ns - 最大脉冲宽度失真 5ns - 最大 VDD 上电延迟 10µs - 所有电源均具备 UVLO 保护 - 支持快速关断, 用于电源排序。
品牌
TI
封装
SOIC-16
库存
170
货期
现货
UCC21330BQDRQ1参数
| 封装 | SOIC-16 |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 隔离式栅极驱动器 |
|---|---|
| 库存 | 170 |
UCC21330BQDRQ1概述
通用型:双低侧、双高侧或半桥驱动器, 符合 AEC - Q100 标准, 测试结果如下: - 器件温度等级 1 - 结温范围:-40 至 +150°C - 最高 4A 峰值源电流和 6A 峰值灌电流输出 - 共模瞬态抗扰度(CMTI)大于 125V/ns - 最高 25V 的 VDD 输出驱动电源 - 提供 5V、8V、12V 的 VDD 欠压锁定(UVLO)选项 - 开关参数: - 典型传播延迟 33ns - 最大脉冲宽度失真 5ns - 最大 VDD 上电延迟 10µs - 所有电源均具备 UVLO 保护 - 支持快速关断, 用于电源排序。
UCC21330BQDRQ1特性
暂无产品特性。
UCC21330BQDRQ1应用领域
暂无应用领域。
