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UCC21330BQDRQ1
IC

SOIC-16

可供量大可议

UCC21330BQDRQ1

通用型:双低侧、双高侧或半桥驱动器, 符合 AEC - Q100 标准, 测试结果如下: - 器件温度等级 1 - 结温范围:-40 至 +150°C - 最高 4A 峰值源电流和 6A 峰值灌电流输出 - 共模瞬态抗扰度(CMTI)大于 125V/ns - 最高 25V 的 VDD 输出驱动电源 - 提供 5V、8V、12V 的 VDD 欠压锁定(UVLO)选项 - 开关参数: - 典型传播延迟 33ns - 最大脉冲宽度失真 5ns - 最大 VDD 上电延迟 10µs - 所有电源均具备 UVLO 保护 - 支持快速关断, 用于电源排序。

品牌

TI

封装

SOIC-16

库存

170

货期

现货

UCC21330BQDRQ1参数

封装SOIC-16
品牌TI(德州仪器)
MOQ / SPQ1 / 1
分类隔离式栅极驱动器
库存170

UCC21330BQDRQ1概述

通用型:双低侧、双高侧或半桥驱动器, 符合 AEC - Q100 标准, 测试结果如下: - 器件温度等级 1 - 结温范围:-40 至 +150°C - 最高 4A 峰值源电流和 6A 峰值灌电流输出 - 共模瞬态抗扰度(CMTI)大于 125V/ns - 最高 25V 的 VDD 输出驱动电源 - 提供 5V、8V、12V 的 VDD 欠压锁定(UVLO)选项 - 开关参数: - 典型传播延迟 33ns - 最大脉冲宽度失真 5ns - 最大 VDD 上电延迟 10µs - 所有电源均具备 UVLO 保护 - 支持快速关断, 用于电源排序。

UCC21330BQDRQ1特性

暂无产品特性。

UCC21330BQDRQ1应用领域

暂无应用领域。

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