UCC21330ADR

是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。 采用4A峰值拉电流和6A峰值灌电流来驱动功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶体管。 可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。 输入侧通过一个3kV_RMS隔离栅与两个输出驱动器隔离， 共模瞬态抗扰度(CMTI)的最小值为125V/ns。 保护功能包括：电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于5ns的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。 所有电源都有UVLO保护。 凭借所有这些高级特性， 能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。