UCC21222QDRQ1

UCC21222-Q1 器件是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器。 该器件在极端温度条件下表现出一致的性能和稳定性。 该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶体管。 UCC21222-Q1 器件可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。 该器件的 5ns 延迟匹配性能允许并联两个输出， 能够在重负载条件下将驱动强度提高一倍， 而无内部击穿风险。 输入侧通过一个 3.0kV RMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离， 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100V/ns。 可通过电阻器编程的死区时间可让您调整系统限制的死区时间， 从而提高效率并防止输出重叠。 其他保护特性包括：当 DIS 设置为高电平时， 通过禁用功能同时关闭两路输出； 集成的抗尖峰滤波器可抑制短于 5ns 的输入瞬变； 以及在输入和输出引脚上对高达 -2V 的尖峰进行 200ns 的负电压处理。 所有电源都有 UVLO 保护。