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UCC21220ADR
IC

SOIC-16

可供量大可议

UCC21220ADR

UCC21220 和UCC21220A 器件是具有4A 峰值拉电流和6A 峰值灌电流的基本隔离式和功能隔离式双通道栅极驱动器。 它们设计用于在PFC、隔离式直流/直流和同步整流应用中驱动功率MOSFET 和GaNFET, 借助超过100V/ns 的共模瞬态抗扰度(CMTI), 可实现快速开关性能和稳健的接地反弹保护。 这些器件可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或半桥驱动器。 可以将两个输出并联, 以形成单个驱动器, 由于具有一流的延迟匹配性能, 因此可以在重负载条件下使驱动强度加倍。 保护功能包括:DIS 引脚在设置为高电平时可同时关断两个输出; INA/B 引脚可抑制短于5ns 的输入瞬态; 输入和输出可以承受–2V 的尖峰达200ns, 所有电源都具有欠压锁定(UVLO) 功能, 有源下拉保护功能可以在断电或悬空时将输出钳制在2.1V 以下。 凭借这些功能, 这些器件可实现高效率、高功率密度和稳健性, 适用于多种电源应用。

品牌

TI

封装

SOIC-16

库存

110

货期

现货

UCC21220ADR参数

封装SOIC-16
品牌TI(德州仪器)
MOQ / SPQ1 / 1
分类隔离式栅极驱动器
库存110

UCC21220ADR概述

UCC21220 和UCC21220A 器件是具有4A 峰值拉电流和6A 峰值灌电流的基本隔离式和功能隔离式双通道栅极驱动器。 它们设计用于在PFC、隔离式直流/直流和同步整流应用中驱动功率MOSFET 和GaNFET, 借助超过100V/ns 的共模瞬态抗扰度(CMTI), 可实现快速开关性能和稳健的接地反弹保护。 这些器件可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或半桥驱动器。 可以将两个输出并联, 以形成单个驱动器, 由于具有一流的延迟匹配性能, 因此可以在重负载条件下使驱动强度加倍。 保护功能包括:DIS 引脚在设置为高电平时可同时关断两个输出; INA/B 引脚可抑制短于5ns 的输入瞬态; 输入和输出可以承受–2V 的尖峰达200ns, 所有电源都具有欠压锁定(UVLO) 功能, 有源下拉保护功能可以在断电或悬空时将输出钳制在2.1V 以下。 凭借这些功能, 这些器件可实现高效率、高功率密度和稳健性, 适用于多种电源应用。

UCC21220ADR特性

暂无产品特性。

UCC21220ADR应用领域

暂无应用领域。

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