UBD32C05L01

瞬态电压抑制器 UBD32C05L01 旨在保护低电压、先进的 CMOS 半导体免受静电放电 (ESD)、电缆放电事件 (CDE)、雷击和其他感应电压浪涌引起的瞬态影响。 该器件采用 EPD 工艺技术制造。 与硅雪崩二极管工艺相比， EPD 工艺可提供低关断电压， 并显著降低漏电流和电容。 结合低漏电流特性， 这意味着在 10/100/1000 以太网等高速应用中能够保持信号完整性。 该器件可用于保护两对高速线路。 “直连式”设计可将走线电感降至最低， 并减少与 ESD 事件相关的电压过冲。 该器件的低钳位电压可将受保护 IC 所承受的应力降至最低。 该器件的 TVS 二极管符合 IEC61000-4-2 4 级浪涌要求。