U1M-TD

该款快恢复、高效率二极管设计精良， 额定正向电流IF可达1A， 在反向电压VR下能承受最高1000V的压力， 确保了在高压环境下的可靠性。 其正向电压降VF仅为1.7V， 有助于减少能量损耗， 提升系统效率。 在待机状态下的反向漏电流IR低至5μA， 有效降低了能耗。 此外， 此二极管瞬态峰值电流IFSM可承受30A， 增强了其在瞬变条件下的耐用性， 适用于需要高效能二极管的各种电路保护与转换应用中。