TX50N06
IC
TO-252
可供量大可议
TX50N06
TX50N06 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管， 采用高单元密度 DMOS 沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低电压应用
品牌
XDS
封装
TO-252
库存
4,295
货期
现货
TX50N06参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | XDS(芯鼎盛) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4295 |
TX50N06概述
TX50N06 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管， 采用高单元密度 DMOS 沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低电压应用
TX50N06特性
暂无产品特性。
TX50N06应用领域
暂无应用领域。