TX15N10B
IC
TO-252
可供量大可议
TX15N10B
TX15N10B 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管， 采用高单元密度 DMOS 沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低电压应用， 如手机、笔记本电脑电源管理及其他电池供电电路， 并且适用于需要极小外形尺寸表面贴装封装的低在线功率损耗应用
品牌
XDS
封装
TO-252
库存
640
货期
现货
TX15N10B参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | XDS(芯鼎盛) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 640 |
TX15N10B概述
TX15N10B 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管， 采用高单元密度 DMOS 沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低电压应用， 如手机、笔记本电脑电源管理及其他电池供电电路， 并且适用于需要极小外形尺寸表面贴装封装的低在线功率损耗应用
TX15N10B特性
暂无产品特性。
TX15N10B应用领域
暂无应用领域。