TW4G03L
IC
SOT-23-6L
可供量大可议
TW4G03L
这些N + P双通道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。 这项先进技术经过专门设计， 可将导通电阻降至最低， 提供卓越的开关性能， 并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件非常适合高效快速开关应用
品牌
TWGMC
封装
SOT-23-6L
库存
3,440
货期
现货
TW4G03L参数
| 封装 | SOT-23-6L |
|---|---|
| 品牌 | TWGMC(迪嘉) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3440 |
TW4G03L概述
这些N + P双通道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。 这项先进技术经过专门设计， 可将导通电阻降至最低， 提供卓越的开关性能， 并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件非常适合高效快速开关应用
TW4G03L特性
暂无产品特性。
TW4G03L应用领域
暂无应用领域。