TVS2701DRBR
自营可供
IC
SON-8(3x3)
TVS2701DRBR
IC UNIDIR PRECISION SURGE DIODE
品牌
TI
封装
SON-8(3x3)
交期
现货
批次
24+
TVS2701DRBR参数
| 封装 | SON-8(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| 批次 | 24+ |
| FET类型 | 内置FET |
| 工作电压 | 27V |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 宽度 | 3mm |
| 功能特性 | 过压钳位保护 |
| 商品型号 | TVS2701DRBR |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000409 |
| 分类 | 浪涌保护器 |
|---|---|
| 库存 | 785 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 通道数 | 2 |
| 安装方式 | 表面安装 |
| 长度 | 3mm |
| 高度 | 1mm |
| 商品名称 | 27V双向平缓钳位浪涌保护 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 浪涌保护器 |
TVS2701DRBR概述
IC UNIDIR PRECISION SURGE DIODE
TVS2701DRBR特性
- 保护特性符合针对工业信号线路的 1kV、42Ω IEC61000-4-5 浪涌测试要求
- 双向极性可针对双极信号传输或误接线情形提供保护
- 27A、8/20µs 浪涌电流下的钳位电压为 34V
- 关断电压为±27V
- 3mm × 3mm 小型 SON 封装
- 在 125℃ 时， 可耐受超过 5000 次的 27A 8/20µs浪涌电流的重复冲击
- 可承受IEC 61000-4-5 (8/20µs) 27A浪涌、IEC 61643-321 (10/1000µs) 3.5A浪涌
- 低泄漏电流， 27℃ 下典型值为 0.8nA， 85℃ 时最大值为 400nA
- 低电容:57pF
- 集成 4 级 IEC 61000-4-2 ESD 保护
TVS2701DRBR应用领域
- 工业传感器 I/O
- PLC I/O 模块
- 模拟输入
- 电器
- 医疗设备
- 楼宇自动化