TTD18P10AT
IC
TO-252
可供量大可议
TTD18P10AT
特性：沟槽功率MOSFET技术。 低导通电阻（RDS(ON)）。 低栅极电荷。 针对快速开关应用进行了优化。 应用：负载开关。 电池开关
品牌
无锡紫光微
封装
TO-252
库存
95
货期
现货
TTD18P10AT参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | 无锡紫光微 |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 95 |
TTD18P10AT概述
特性：沟槽功率MOSFET技术。 低导通电阻（RDS(ON)）。 低栅极电荷。 针对快速开关应用进行了优化。 应用：负载开关。 电池开关
TTD18P10AT特性
暂无产品特性。
TTD18P10AT应用领域
暂无应用领域。