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TTC014, L1NV
IC

2-7J1S

可供量大可议

TTC014, L1NV

特性:高直流电流增益:hFE = 100 至 200 (IC = 0.1A)。 高集电极击穿电压:VCEO = 800V, VCBO = 900V。 高速开关:Δtr = 0.2μs(典型值), tf = 0.4 μs(典型值)(IC = 0.3A)。 应用:高速高压开关。 开关稳压器

品牌

TOSHIBA

封装

2-7J1S

库存

327

货期

现货

TTC014, L1NV参数

封装2-7J1S
品牌TOSHIBA(东芝)
MOQ / SPQ1 / 1
分类三极管(BJT)
库存327

TTC014, L1NV概述

特性:高直流电流增益:hFE = 100 至 200 (IC = 0.1A)。 高集电极击穿电压:VCEO = 800V, VCBO = 900V。 高速开关:Δtr = 0.2μs(典型值), tf = 0.4 μs(典型值)(IC = 0.3A)。 应用:高速高压开关。 开关稳压器

TTC014, L1NV特性

暂无产品特性。

TTC014, L1NV应用领域

暂无应用领域。

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