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TTB85N08A
IC

TO-263

可供量大可议

TTB85N08A

沟槽功率技术。 低RDS(ON)。 低栅极电荷。 针对快速开关应用进行了优化

品牌

无锡紫光微

封装

TO-263

库存

1

货期

现货

TTB85N08A参数

封装TO-263
品牌无锡紫光微
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存1

TTB85N08A概述

沟槽功率技术。 低RDS(ON)。 低栅极电荷。 针对快速开关应用进行了优化

TTB85N08A特性

暂无产品特性。

TTB85N08A应用领域

暂无应用领域。

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