TSY-83LN+
自营可供
IC
QFN-12(3x3)
TSY-83LN+
射频放大器 SMT Low Noise Amplifier, 400 - 8000 MHz, 50ohm
品牌
Mini-Circuits
封装
QFN-12(3x3)
交期
现货
批次
—
TSY-83LN+参数
| 封装 | QFN-12(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | Mini-Circuits |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 工作电流 | 104mA |
| P1dB | 22.9dBm |
| 工作温度 | -45℃~+105℃ |
| 输入回波损耗 | 16.4dB |
| IP3 | 33.6dBm |
| 商品名称 | 50Ω 0.4 - 8GHz 低噪声放大器旁路模式特性 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 射频低噪声放大器 |
| 分类 | 射频低噪声放大器 |
|---|---|
| 库存 | 100 |
| 工作电压 | 5V~6V |
| 增益 | 22.3dB |
| 噪声系数 | 1.5dB |
| 频率 | 400MHz~8GHz |
| 输出回波损耗 | 20dB |
| 功能特性 | 旁路模式 |
| 商品型号 | TSY-83LN+ |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 3.5e-05 |
TSY-83LN+概述
射频放大器 SMT Low Noise Amplifier, 400 - 8000 MHz, 50ohm
TSY-83LN+特性
- 旁路模式功能：允许用户在保持电源电压恒定的同时快速切换到低损耗旁路路径， 以降低增益并在高功率RF信号存在时保护系统。
- 低噪声系数：典型值为2 GHz时1.5 dB， 在放大模式下提供极小的信噪比劣化。
- 高OIP3：典型值为2 GHz时+33.6 dBm， 低噪声系数和高IP3的组合使其适用于对高动态范围至关重要的敏感低噪声接收器前端。
- 宽带宽与扁平增益：在0.4至6 GHz范围内±0.6 dB， 使单个放大器可用于多个应用。
- 3x3 mm 12引脚QFN风格封装：小尺寸节省密集布局空间， 提供低电感、可重复的过渡以及与PCB的良好热接触， 行业标准封装便于大批量制造过程中的组装。
TSY-83LN+应用领域
- 5G Sub6， MIMO无线基础设施系统
- 测试与测量设备