TSV912AQDRQ1
IC
SOIC-8
可供量大可议
TSV912AQDRQ1
轨至轨输入和输出低噪声:1kHz 时为 18nV/√Hz, 低功耗:550μA(典型值), 高增益带宽:8MHz, 工作电源电压范围是 2.5V 至 5.5V, 低输入偏置电流:1pA(典型值), 低输入失调电压:1.5mV(最大值), 低失调电压漂移:±0.5μV/°C(典型值), ESD 内部保护:±4kV 人体放电模型 (HBM), 工作温度范围:-40°C 至 125°C。
品牌
TI
封装
SOIC-8
库存
94
货期
现货
TSV912AQDRQ1参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 运算放大器 |
|---|---|
| 库存 | 94 |
TSV912AQDRQ1概述
轨至轨输入和输出低噪声:1kHz 时为 18nV/√Hz, 低功耗:550μA(典型值), 高增益带宽:8MHz, 工作电源电压范围是 2.5V 至 5.5V, 低输入偏置电流:1pA(典型值), 低输入失调电压:1.5mV(最大值), 低失调电压漂移:±0.5μV/°C(典型值), ESD 内部保护:±4kV 人体放电模型 (HBM), 工作温度范围:-40°C 至 125°C。
TSV912AQDRQ1特性
暂无产品特性。
TSV912AQDRQ1应用领域
暂无应用领域。
