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TSV912AQDRQ1
IC

SOIC-8

可供量大可议

TSV912AQDRQ1

轨至轨输入和输出低噪声:1kHz 时为 18nV/√Hz, 低功耗:550μA(典型值), 高增益带宽:8MHz, 工作电源电压范围是 2.5V 至 5.5V, 低输入偏置电流:1pA(典型值), 低输入失调电压:1.5mV(最大值), 低失调电压漂移:±0.5μV/°C(典型值), ESD 内部保护:±4kV 人体放电模型 (HBM), 工作温度范围:-40°C 至 125°C。

品牌

TI

封装

SOIC-8

库存

94

货期

现货

TSV912AQDRQ1参数

封装SOIC-8
品牌TI(德州仪器)
MOQ / SPQ1 / 1
分类运算放大器
库存94

TSV912AQDRQ1概述

轨至轨输入和输出低噪声:1kHz 时为 18nV/√Hz, 低功耗:550μA(典型值), 高增益带宽:8MHz, 工作电源电压范围是 2.5V 至 5.5V, 低输入偏置电流:1pA(典型值), 低输入失调电压:1.5mV(最大值), 低失调电压漂移:±0.5μV/°C(典型值), ESD 内部保护:±4kV 人体放电模型 (HBM), 工作温度范围:-40°C 至 125°C。

TSV912AQDRQ1特性

暂无产品特性。

TSV912AQDRQ1应用领域

暂无应用领域。

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