TSU5N65M
IC
TO-251
可供量大可议
TSU5N65M
该功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术。 该先进技术专门用于最小化导通电阻， 提供卓越的开关性能， 并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。 这些器件非常适合高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
品牌
Truesemi
封装
TO-251
库存
50
货期
现货
TSU5N65M参数
| 封装 | TO-251 |
|---|---|
| 品牌 | Truesemi(信安) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
TSU5N65M概述
该功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术。 该先进技术专门用于最小化导通电阻， 提供卓越的开关性能， 并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。 这些器件非常适合高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
TSU5N65M特性
暂无产品特性。
TSU5N65M应用领域
暂无应用领域。