TSU5N60M
IC
TO-251
可供量大可议
TSU5N60M
这款功率MOSFET采用了东微半导（Truesemi）先进的平面条形DMOS技术制造。 该先进技术经过特别设计， 可将导通电阻降至最低， 提供卓越的开关性能， 并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。 这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正
品牌
Truesemi
封装
TO-251
库存
145
货期
现货
TSU5N60M参数
| 封装 | TO-251 |
|---|---|
| 品牌 | Truesemi(信安) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 145 |
TSU5N60M概述
这款功率MOSFET采用了东微半导（Truesemi）先进的平面条形DMOS技术制造。 该先进技术经过特别设计， 可将导通电阻降至最低， 提供卓越的开关性能， 并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。 这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正
TSU5N60M特性
暂无产品特性。
TSU5N60M应用领域
暂无应用领域。