TSP18N20M
IC
TO-220
可供量大可议
TSP18N20M
这款功率MOSFET采用了东微半导体（Truesemi）先进的平面条形DMOS技术制造。 这项先进技术经过专门设计， 可将导通电阻降至最低， 提供卓越的开关性能， 并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正
Brand
Truesemi
Package
TO-220
Stock
81
货期
现货
TSP18N20MParameters
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | Truesemi(信安) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 81 |
TSP18N20M概述
这款功率MOSFET采用了东微半导体（Truesemi）先进的平面条形DMOS技术制造。 这项先进技术经过专门设计， 可将导通电阻降至最低， 提供卓越的开关性能， 并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正
TSP18N20M特性
暂无产品特性。
TSP18N20M应用领域
暂无应用领域。