TSP10N60M
IC
TO-220
可供量大可议
TSP10N60M
特性：采用先进的平面条纹 DMOS 技术。 低导通电阻。 优越的开关性能。 能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。 最大电流 10.0A， 电压 600V， RDS(on)=0.8Ω（VGS = 10V 时）。 低栅极电荷（典型值 48nC）。 高坚固性。 快速开关。 100% 雪崩测试。 改善的 dv/dt 能力
品牌
Truesemi
封装
TO-220
库存
3
货期
现货
TSP10N60M参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | Truesemi(信安) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3 |
TSP10N60M概述
特性：采用先进的平面条纹 DMOS 技术。 低导通电阻。 优越的开关性能。 能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。 最大电流 10.0A， 电压 600V， RDS(on)=0.8Ω（VGS = 10V 时）。 低栅极电荷（典型值 48nC）。 高坚固性。 快速开关。 100% 雪崩测试。 改善的 dv/dt 能力
TSP10N60M特性
暂无产品特性。
TSP10N60M应用领域
暂无应用领域。