TSK82N30M
IC
TO-247
可供量大可议
TSK82N30M
该功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术。 这种先进技术专门用于最小化导通电阻， 提供卓越的开关性能， 并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。 这些器件非常适合用于高功率逆变器、切割机。
品牌
Truesemi
封装
TO-247
库存
39
货期
现货
TSK82N30M参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | Truesemi(信安) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 39 |
TSK82N30M概述
该功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术。 这种先进技术专门用于最小化导通电阻， 提供卓越的开关性能， 并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。 这些器件非常适合用于高功率逆变器、切割机。
TSK82N30M特性
暂无产品特性。
TSK82N30M应用领域
暂无应用领域。