TSK50N50MZ
IC
TO-247
可供量大可议
TSK50N50MZ
特性：该功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术制造， 此技术旨在最小化导通电阻， 提供卓越的开关性能， 并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。 50A， 500V， 最大RDS(on)=0.18Ω @VGS=10V。 超快恢复体二极管。 100%雪崩测试。 符合RoHS标准
品牌
Truesemi
封装
TO-247
库存
30
货期
现货
TSK50N50MZ参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | Truesemi(信安) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
TSK50N50MZ概述
特性：该功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术制造， 此技术旨在最小化导通电阻， 提供卓越的开关性能， 并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。 50A， 500V， 最大RDS(on)=0.18Ω @VGS=10V。 超快恢复体二极管。 100%雪崩测试。 符合RoHS标准
TSK50N50MZ特性
暂无产品特性。
TSK50N50MZ应用领域
暂无应用领域。